Erinevus polüsilikoni ja monokristallilise räni vahel

Ränimaterjal on pooljuhtide tööstuses kõige põhilisem ja põhimaterjal. Pooljuhtide tööstusahela keeruline tootmisprotsess peaks algama ka põhilise räni materjali tootmisest.

Monokristalliline räni päikeseenergia aedvalgus

Monokristalliline räni on elementaarse räni vorm. Kui sula elementaarne räni tahkestub, paigutatakse räni aatomid paljudesse kristalltuumadesse teemantvõre. Kui need kristalltuumad kasvavad teradeks, millel on sama kristalltasandi orientatsioon, ühendatakse need terad paralleelselt, et kristalliseerub monokristalseks räni.

Monokristallilisel ränil on kvaasmetalli füüsikalised omadused ja sellel on nõrk elektrijuhtivus, mis suureneb temperatuuri tõustes. Samal ajal on monokristallilisel ränil ka märkimisväärne poolielektriline juhtivus. Ultra-Puur monokristalliline räni on sisemine pooljuht. Ultra-Puur Monocrystal räni juhtivust saab täiustada, lisades jäljed ⅲA elemendid (näiteks booron), ja moodustada saab p-tüüpi räni pooljuht. Nagu jäljeliste elementide (näiteks fosfori või arseeni) lisamine võib parandada ka juhtivuse astet, N-tüüpi räni pooljuhi moodustumist.

polüsilikonpäikesevalgus

Polysilicon on elementaarse räni vorm. Kui sula elementaarne räni tahkestub superjahutusega, paigutatakse räni aatomid paljudesse kristalltuumadesse teemantvõre kujul. Kui need kristalltuumad kasvavad erineva kristalli orientatsiooniga teradeks, ühendavad need terad ja kristalliseeruvad polüsilikooniks. See erineb monokristallilisest ränist, mida kasutatakse elektroonikas ja päikesepatareides, ning amorfsest ränist, mida kasutatakse õhukese kilega seadmetes jaPäikeserakud aiavalgus

Erinevus ja ühendus nende kahe vahel

Monokristallilise räni korral on kristallraami struktuur ühtlane ja seda saab tuvastada ühtlase välimusega. Monokristallilise räni korral on kogu proovi kristallvõre pidev ja sellel pole teraviljapiire. Suured üksikkristallid on oma olemuselt äärmiselt haruldased ja laboris on raske valmistada (vt ümberkristallimine). Seevastu aatomite positsioonid amorfsetes struktuurides piirduvad lühiajaliste tellimisega.

Polükristallilised ja subkristallilised faasid koosnevad suurest hulgast väikestest kristallidest või mikrokristallidest. Polysilicon on materjal, mis koosneb paljudest väiksematest räni kristallidest. Polükristallilised rakud tunnevad tekstuuri ära nähtava lehtmetalli efekti abil. Pooljuhtide hinded, sealhulgas päikesekvaliteediga polüsilicon, teisendatakse monokristalseks räniseks, mis tähendab, et polüsilikoni juhuslikult ühendatud kristallid muundatakse suureks üheks kristalliks. Monokristallilist räni kasutatakse enamiku ränipõhiste mikroelektrooniliste seadmete valmistamiseks. Polysilicon võib saavutada puhtuse 99,9999%. Ultra-Pure polüsilikooni kasutatakse ka pooljuhtide tööstuses, näiteks 2-3-meetrine pikkusega polüsilikooni varrastel. Mikroelektroonikatööstuses on Polysiliconil rakendused nii makro- kui ka mikroskaaladel. Monokristallilise räni tootmisprotsessid hõlmavad Czeckorasky protsessi, tsooni sulamist ja Bridgmani protsessi.

Erinevus polüsilikoni ja monokristallilise räni vahel avaldub peamiselt füüsikalistes omadustes. Mehaaniliste ja elektriliste omaduste osas on polüsilikon madalam kui monokristalne räni. Polysiliconit saab kasutada toorainena monokristallilise räni joonistamiseks.

1. Mehaaniliste omaduste, optiliste omaduste ja termiliste omaduste anisotroopia osas on see palju vähem ilmne kui monokristalliline räni

2. Elektriliste omaduste osas on polükristallilise räni elektriline juhtivus palju vähem oluline kui monokristalliline räni või isegi peaaegu puudub elektrijuhtivus

3, keemilise aktiivsuse osas on nende kahe erinevus väga väike, kasutage üldiselt polüsiliconit rohkem